GAZI UNIVERSITY INFORMATION PACKAGE - 2019 ACADEMIC YEAR
COURSE DESCRIPTION
CRYSTAL UPSIZING TECNIQUES I/6111302 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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COURSE INFO | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- LANGUAGE OF INSTRUCTION | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Turkish | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- NAME OF LECTURER(S) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Suleyman OZCELIK, Prof. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- WEB SITE(S) OF LECTURER(S) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
websitem.gazi.edu.tr/site/sozcelik | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- EMAIL(S) OF LECTURER(S) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
sozcelik@gazi.edu.tr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- LEARNING OUTCOMES OF THE COURSE UNIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Knowledge about the development of crystal growth Learning of the liquid phase growth method within bulk crystal growth techniques Learning of Czochralski and Brigman crystal growth techniques; growth of GaAs, Si, Ge etc. bulk crystals and crystal defects Learning of micro-and nano-concepts, the location of semiconductor technology, thin films, nanostructures, compound semiconductors Learning of vacuum, ultra-high vacuum conditions and their techniques; Kinetic Theory of Gases and understanding of the kinetics of gas in high vacuu Satisfying of knowledge about the epitaxial crystal growth and techniques Learning of applications and technologies of Chemical vapor-phase deposition / epitaxy (CVD), Metal organic chemical vapor epitaxy (MOCVD) techniques Learning advantages of Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique, beam of resources and cells; crystal growth modes Learning of source material loading, bake out processes in MBE system, in situ measurement techniques: RHEED, AES and mass spectrometry Learning of growth processes of III-V group structures with MBE, growth of the calibration samples, growth rate and doping calibration procedures. |
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-- MODE OF DELIVERY | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
The mode of delivery of this course is Face to face. In addition, MBE and Czochralski systems are introduced to students in the laboratory. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- PREREQUISITES AND CO-REQUISITES | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
There is no prerequisite or co-requisite for this course. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- RECOMMENDED OPTIONAL PROGRAMME COMPONENTS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
There is no recommended optional programme component for this course. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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-- RECOMMENDED OR REQUIRED READING | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Molecular Beam Epitaxy, M.A. Herman, H. Sister (Springer)1996. Semiconductor Devices: Physics and Technology, S.M. Sze (John Wiley and Sons Inc.)2001. 2)The Tecnology an Physics of Molecular beam Epitay, E.H.C Parker (Plenum Pres, NY)1985 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- PLANNED LEARNING ACTIVITIES AND TEACHING METHODS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Lecture, Question & Answer, Demonstration | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-- WORK PLACEMENT(S) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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